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武汉科美芯电气有限公司

日立ABB IGBT模块，PNJ（派恩杰）碳化硅分立器件及模块，Lite-On（光宝）光耦驱动...

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日立ABB GTO二极管5SGA 20H4502
 Gate turn-off Thyristor5SGA 20H4502VDRM = 4500 VITGQM = 2000 AITSM = 13 kAVT0 = 1.80 VrT = 0.85 mΩVDClin = 2200 		2025-06-18
日立ABB GTO二极管5SGA 30J4502
  Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 30J4502VDRM = 4500 VITGQM = 3000 AITSM = 24×103 AVT0 = 2.2 VrT = 0.6 m 		2025-06-18
日立ABB GTO二极管5SGA 25H2501
  Gate turn-off Thyristor5SGA 25H2501 VDRM = 2500 VITGQM = 2500 AITSM = 16 kAVT0 = 1.66 VrT = 0.57 mWVDClin  		2025-06-18
日立ABB GTO二极管5SGA 06D4502
 Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 06D4502PRELIMINARY VDRM = 4500 VITGQM = 600 AITSM = 3×103 AVT0 = 1. 		2025-06-18
日立ABB IGBT模块5SNA 0750G650300
 ABB IGBT模块5SNA0750G650300ABB HiPakIGBT Module5SNA 0750G650300VCE = 6500 VIC = 750 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切 		2025-06-18
日立ABB GTO二极管5SGA 20H2501
  Gate turn-off Thyristor5SGA 20H2501 VDRM = 2500 VITGQM = 2000 AITSM = 16 kAVT0 = 1.66 VrT = 0.57 mWVDClin  		2025-06-18
日立ABB IGBT模块5SNA 1000G650300
 供应ABB高压IGBT模块5SNA1000G6503005SNA 1000G650300HiPak IGBT moduleVCE = 6500 VIC = 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT++芯 		2025-06-18
日立ABB GTO二极管5SGA 30J2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 30J2501VDRM = 2500 VITGQM = 2800 AITSM = 30 kAVT0 = 1.5 VrT = 0.33 mVDClink = 1400 		2025-06-18
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